A****光電設(shè)備

用于研究近常壓和超高真空環(huán)境下的樣品原位物理化學(xué)信息的設(shè)備。具體分為五個真空腔室：進(jìn)樣室，樣品處理和生長腔室，近常壓-高真空光學(xué)測量腔室，光電子能譜測量腔室和外部連接腔室。該設(shè)備可以通過光學(xué)方式測量近常壓到高真空下樣品表面的分子結(jié)構(gòu)和化學(xué)信息；可以測量高真空下樣品的x射線光電子譜，并具有樣品表面剝離功能，可實現(xiàn)z方向樣品剝離成像；可以原位生長和處理樣品；可以與其它真空腔體實現(xiàn)互聯(lián)。 近常壓光電子原位成像設(shè)備功能參數(shù)： 1)近常壓-高真空光學(xué)測量腔室：實現(xiàn)近常壓到超高真空的連續(xù)壓力調(diào)節(jié)，可以實現(xiàn)液氮溫度到1200k的樣品溫度控制，窗口可以透過中紅外和遠(yuǎn)紅外激光。 2)光電子能譜測量腔室：測量樣品的xps，可以原位剝離樣品實現(xiàn)z方向分辨，空間分辨率優(yōu)于10nm。 3)樣品處理和生長腔室：包含至少兩個蒸發(fā)源，LEED，俄歇電子譜儀，Ar離子槍，殘留氣體分析器，氣路，樣品溫度液氮溫度到1200k。 4)光學(xué)測量系統(tǒng)：飛秒激光器泵浦紅外光參量放大器和差頻器，實現(xiàn)3~16um的可調(diào)諧激光輸出，另外輸出一束窄線寬皮秒光，線寬可選擇，最窄優(yōu)于2cm-1。兩束光實現(xiàn)和頻，可獲得樣品表面單分子層的和頻光譜。